采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4W
阈值电压：2.4V
栅极电荷：10nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3456BEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
