品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4L+":3000}
包装规格(MPQ):541psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0395DPA-00#J53
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:13nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:63A
类型:MOSFET
导通电阻:4.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A
功率:30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:4.3nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":24000,"3B+":81000,"3C+":84000,"4L+":8615}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J5A
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3A+":24000,"3B+":81000,"3C+":84000,"4L+":8615}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J5A
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"4H+":2365}
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2165N-EL-E
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
输入电容:5.18nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
工作温度:150℃
功率:30W
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
工作温度:150℃
功率:30W
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A
功率:30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:4.3nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AP30P30Q-ES
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7544-ES
功率:30W
阈值电压:1.75V@250μA
栅极电荷:48nC
输入电容:2.2nF
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:242pF
导通电阻:4mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CJAB35P03-ES
功率:30W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:26.4nC
输入电容:1.23nF
连续漏极电流:31A
类型:1个P沟道
反向传输电容:145pF
导通电阻:13mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG50N03-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2D+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03B7DPA-00#J53
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:1.67nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"0C+":19800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0366DPA-00#J0
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:1.01nF@10V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.1mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: