采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLF2425M9L30U
功率：30W
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP15H9S30Z
功率：30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：11490，"10+"：2950，"11+"：18000，"12+"：9000，"14+"：942，"9999"：500，"MI+"：13000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"4L+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0395DPA-00#J53
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.67nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1820，"20+"：1940，"22+"：4241，"23+"：11785}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ20N08S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：599pF@40V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：35}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLF7G27L-150P，112
功率：30W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Macom
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF148A
功率：30W
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD17NF03LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP15H9S30Z
功率：30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6NF10T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
