采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：3000，"17+"：12000}
规格型号(MPN)：ATP201-TL-H
输入电容：985pF@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
功率：30W
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"1E+"：2850}
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
漏源电压：30V
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
阈值电压：2.5V@1mA
功率：30W
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A08N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@40V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
