采购热线 400-661-9010
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07113
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@27.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI07114
工作温度：150℃
功率：116W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@31.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07113
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@27.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07113
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@27.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：袋
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
