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    规格型号(MPN)
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    阈值电压
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    栅极电荷
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    反向恢复时间
    开启延迟时间
    关断延迟时间
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    导通损耗
    集电极脉冲电流(Icm)
    集电极截止电流(Ices)
    连续漏极电流
    1.8A 200mA 4.5A 700mA 45A 25A 3A 17A 250mA 1.4A 150mA 5.6A 4.2A 65A 110A 2.5A 95A 120A 130mA 5.5A 27A 57A 800mA 75A 26A 30A 310mA 24A 1.6A 9.6A 38A 340mA 300mA 40A 4.4A 9A 44A 3.4A 6.5A 50A 8.5A 600mA 46A 370mA 3.5A 100A 11A€24A 2A 28A 170mA 17.3A 230mA 1.2A 88A 76A 220mA 9.4A 18A€80A 2.3A 16A 11A 13A 4.7A 4.8A 36A 5.8A 180mA 17.5A 190mA 21A 3.9A 1.3A 53A 7A 72A 43A 1A 6.9A 148A 7.5A 116A 19A 270mA 3.8A 4.5A€3.5A 3.1A 49A 4A 42A 69A 7.3A 7.8A 92A 1.7A 3.6A 30.8A 100mA 6A 90A 3.3A 225mA 9.5A 8.7A 375mA 2.7A 83A 55A 115mA 18A€60A 7.2A 51A 3.7A 280mA 9.7A 32A 29A 150A 11.1A 12A 5.2A 15A 22A 35A 5.4A 60A 5A 33A 13.5A 34A 80A 1.5A 50mA 140mA 210mA 47A 23A 350mA 58A 6.7A 400mA 52A 450mA 750mA 330mA 9.2A 2.6A 14A 3.2A 70A 84A 380mA 11.5A 6.8A 8A 500mA 18A 650mA 56A 61A 61.8A 2.8A 82A 4.1A 320mA 10A 20A 18A€68A 5A€4A 38.8A 6A€5A 2A€1.5A 143A 2.7A€19A 3.4A€2.6A 4.7A€3.5A 15.8A 11A€35A 9A€8.5A 1.6A€1.4A 77A 22A€76A 4.5A€2A 17A€40A 1.5A€1.3A 70mA 22.5A 138A 9A€30A 13.7A 7A€6A 9A€8A 27.6A 10A€11A 6A€7A 18A€39A 400mA€1.5A 1.5A€1A 3A€2.5A 136A 12A€36A 180mA€100mA 80A€70A 18A€30A 4.5A€14.5A 6A€4.5A 5A€4.5A 7A€5.5A 135A€120A 7A€4.5A 400mA€200mA 4.5A€3A 500mA€330mA 54A€334A 423A 18A€15A 26A€80A 3A€2A 800mA€720mA 37A€193A 2.8A€15A 4.3A€22.5A 2.3A€12.5A 14.5A€47A 15A€27A€26A€80A 22.4A€94A 10A€31A 43A€269A 7A€11A 7A€4A 2.5A€2.4A 1.4A€1A 3A€3.5A 32A€80A 750mA€660mA 100mA€200mA
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:2.6万+
    商品信息
    参数
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    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF030P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@23A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002AT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF010P05TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF010P05TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF010P05TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:460mΩ@1A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订149个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订149个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€30W

    阈值电压:2.5V@200µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K32HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-TR 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC6605R-TR 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC6605R-TR

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订19个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订19个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI07113

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4040pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF030P01TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF030P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P35AFE,LF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P35AFE,LF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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