品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0391DPA-00#J5A
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0391DPA-00#J5A
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0391DPA-00#J5A
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7NF60L
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: