品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J11TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P36TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J4TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8672-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J12TCR
工作温度:150℃
功率:910mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J2TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:36mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J2TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:36mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J2TR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:36mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J66TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P39TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: