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    连续漏极电流
    30A
    类型
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 30A
    类型: N沟道
    当前匹配商品:2100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:219W

    阈值电压:4.5V@960µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2660pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF099N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4.5V@3mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP250PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@18A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S2L-21 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S2L-21 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S2L-21

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2V@80µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:Reel

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1154pF@800V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ34PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030ENZ4C13 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S4L14ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S4L14ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ30N10S5L240ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45.5W

    阈值电压:2.2V@15µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30025}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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