采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S4L14ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S4L14ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD135N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S4L14ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S4L14ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2，"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN022-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD135N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6344，"12+"：2023，"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30N03S2L20GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD135N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S4L14ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4164DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
