采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R190C7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：168mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R190C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R190C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK13A65U(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R190C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4LSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：598pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@8.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R190C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
ECCN：IN PROGRESS
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：417，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF250N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：29W
阈值电压：4V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.261nF@400V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：201mΩ@10V，6.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R190C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R190C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
