品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9784}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-60PLQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.79mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK150N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:714W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R403NL
功率:64W
阈值电压:2.3V@500μA
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.79mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N010ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@90µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6878pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.03mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:218nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R204PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6L009ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7806pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70042E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:带
输入电容:6490pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB150N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1560W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:430nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20400pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@75A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":900,"23+":2800,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-60PLQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN180N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:680W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:盒
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@90A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2003UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8352pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@50A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: