销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：900，"23+"：2800，"9999"：700}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：900，"23+"：2800，"9999"：700}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2100，"21+"：3826，"22+"：3600，"23+"：1000，"MI+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R6-60PSQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：326W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：140nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7629pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：900，"23+"：2800，"9999"：700}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NLT1G

工作温度：-55℃~175℃

功率：3.7W€110W

阈值电压：2V@135µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.4mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB3306

功率：210W

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2100，"21+"：3826，"22+"：3600，"23+"：1000，"MI+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R6-60PSQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：326W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：140nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7629pF@25V

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN2R5-60PLQ

工作温度：-55℃~175℃

功率：349W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：223nC@10V

包装方式：管件

连续漏极电流：150A

类型：N沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1