品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9635-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STO67N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:72.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7240-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2293pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y30-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y30-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@15A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y27-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:59.4W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:959pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: