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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V€650pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3330pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:53nC@10V

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3330pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:96mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFW40N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STFW40N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3670

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2490pF@50V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB32N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD320N20N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DRHRC15 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DRHRC15 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT4045DRHRC15

    功率:115W

    阈值电压:4.8V@8.89mA

    栅极电荷:63nC@18V

    输入电容:1.46nF@500V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:59mΩ@17A,18V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP320N20N3GXKSA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF42N60M2-EP 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF42N60M2-EP

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2370pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:87mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB320N20N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@34A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DRHRC15 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DRHRC15 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT4045DRHRC15

    功率:115W

    阈值电压:4.8V@8.89mA

    栅极电荷:63nC@18V

    输入电容:1.46nF@500V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:59mΩ@17A,18V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DEC11 起订450个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4045DEC11 起订450个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT4045DEC11

    功率:115W

    阈值电压:4.8V@8.89mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:14.6nF@500V

    连续漏极电流:34A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:59mΩ@17A,18V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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