品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":305,"21+":575}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB32N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:97W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH9R506PL,LQ
工作温度:175℃
功率:830mW€81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y25-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: