销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.1W

阈值电压：450mV

栅极电荷：700pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：200mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.1W

阈值电压：450mV

栅极电荷：700pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：200mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06NMXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.2W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：10.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06NMXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：4.2W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：10.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP171P H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：300mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP170P H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.8W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：239mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：HL2303

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：4nC@10V

输入电容：155pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个P沟道

反向传输电容：25pF@15V

导通电阻：190mΩ@10V，1.9A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

连续漏极电流：1.9A

包装方式：Reel

功率：5W

阈值电压：2V

漏源电压：60V

栅极电荷：13.9nC

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：250mΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

连续漏极电流：1.9A

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

输入电容：352pF@15V

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NXV55UNR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：340mW€2.1W

阈值电压：900mV@250μA

栅极电荷：8.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：352pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个N沟道

导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：HL2303

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：4nC@10V

输入电容：155pF@15V

连续漏极电流：1.9A

类型：1个P沟道

反向传输电容：25pF@15V

导通电阻：190mΩ@10V，1.9A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1