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    晶体管类型
    阈值电压
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    栅极电荷
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    反向恢复时间
    开启延迟时间
    关断延迟时间
    反向传输电容
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    关断损耗
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集电极电流(Ic)
    特征频率
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极截止电流(Ices)
    连续漏极电流
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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~+150℃
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03K 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:94pF@15V

    导通电阻:12mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0080120D

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:71nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:31.6A

    类型:MOSFET

    导通电阻:98mΩ

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU014PBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W€2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K4P7 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K4P7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3 G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC036NE7NS3 G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC036NE7NS3 G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.3V

    栅极电荷:63.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:159A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3.6mΩ

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G29 起订105个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G29

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:1.151nF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:69nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:80.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:5.1mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ260DT-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ260DT-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ260DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:1.1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC€13.3nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:24.7A€24.6A

    类型:MOSFET

    导通电阻:24.5mΩ€24.7mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G60N04K 起订23个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G60N04K 起订23个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G60N04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.8nF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@20V

    导通电阻:5.3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89 H6327 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89 H6327 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP89 H6327

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.4V

    栅极电荷:6.4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:350mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.2Ω

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO203SP H 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO203SP H 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO203SP H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV

    栅极电荷:26nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:8.9A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3481C 起订43个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3481C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@15V

    导通电阻:37mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N65C3 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N65C3 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N65C3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.9V

    栅极电荷:45nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:11A

    类型:MOSFET

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NS 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NS 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NS

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.1V

    栅极电荷:33nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:100A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3.4mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A67PZT5G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A67PZT5G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3A67PZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC

    包装方式:Reel

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3ENX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3ENX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:914pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:165nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:25A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3480C 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3480C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:60pF@15V

    导通电阻:16mΩ@10V,6.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D7LW-13 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D7LW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19pF@15V

    连续漏极电流:380mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:900mΩ@420mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT10N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    输入电容:206pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1.4pF@50V

    导通电阻:115mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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