采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：5000psc
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
功率：31.3W
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
栅极电荷：6nC
漏源电压：650V
导通电阻：1Ω
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2032，"22+"：5000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
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包装规格(MPQ)：5000psc
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规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
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功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
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规格型号(MPN)：IPLK60R1K0PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5.2A
类型：MOSFET
导通电阻：1Ω
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
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库存：
品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@4.5V，6.5A
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：18nC@4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
功率：1W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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