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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89 H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：6.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：4.2Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D9LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.4V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：800mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：350mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.23nC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
