采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：126nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：39mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.95nF@100V
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：104mΩ@10V，18.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：126nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：39mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
栅极电荷：126nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：39mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1126T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：131nC@10V
输入电容：9.2nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@50V
导通电阻：2.2mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
