品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W
阈值电压:3V@1.037mA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.6nF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:54pF@30V
导通电阻:54mΩ@10V,3.7A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W
阈值电压:3V@1.037mA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.6nF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:54pF@30V
导通电阻:54mΩ@10V,3.7A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W
阈值电压:3V@1.037mA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.6nF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:54pF@30V
导通电阻:54mΩ@10V,3.7A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP650P06NM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W
阈值电压:3V@1.037mA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.6nF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:54pF@30V
导通电阻:54mΩ@10V,3.7A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:12nC@4.5V
功率:490mW
连续漏极电流:3.7A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: