品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G29
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:1.151nF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3481C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:37mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:2.03nF@25V
连续漏极电流:45A€8.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8405_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个P沟道
导通电阻:390mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3401L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
输入电容:880pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:75pF@15V
导通电阻:60mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3160LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:8.2nC@10V
输入电容:384.4pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:122mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P02D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:55nC@4.5V
输入电容:3.5nF@10V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:63pF@10V
连续漏极电流:460mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:5.235nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: