品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW16N50C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:3.9V@675μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,10A
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW16N50C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:3.9V@675μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,10A
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:129W
阈值电压:4V
栅极电荷:31nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT190N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:129W
阈值电压:4V
栅极电荷:31nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":93590,"20+":643,"9999":148,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R145CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":93590,"20+":643,"9999":148,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R145CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT16N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:1.078nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@25V
导通电阻:550mΩ@10V,8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05LSM9A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:2V@250mA
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@5V,16A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: