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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：15mΩ
输入电容：1.799nF@15V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
连续漏极电流：39A€10.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：15mΩ
输入电容：1.799nF@15V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
连续漏极电流：39A€10.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
连续漏极电流：20A
栅极电荷：34nC@10V
阈值电压：4.6V@250μA
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：1.935nF@100V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
连续漏极电流：20A
栅极电荷：34nC@10V
阈值电压：4.6V@250μA
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：1.935nF@100V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMP210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.412nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
