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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
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类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
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生产批次：{"23+"：4128}
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规格型号(MPN)：FDC640P
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功率：1.6W
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规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：18+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：18+
规格型号(MPN)：FDC640P
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：890pF@10V
漏源电压：20V
功率：1.6W
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
连续漏极电流：4.5A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC640P
阈值电压：1.5V@250μA
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栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
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功率：1.6W
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
连续漏极电流：4.5A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
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栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
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功率：1.6W
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连续漏极电流：4.5A
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导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
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输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
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输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：650pF@15V
栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
