品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:345pF@75V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:144mΩ@2.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4101LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:15.23nC@4.5V
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:97.26pF@6V
导通电阻:69mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS806NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:750mV@11μA
栅极电荷:1.7nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: