采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH34N65X2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD23N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：23A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：220mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD23N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：23A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：220mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
连续漏极电流：20A
漏源电压：500V
功率：230W
类型：1个N沟道
输入电容：1.92nF@25V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：260mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：18pF@25V
栅极电荷：56nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，5.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：93mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJB17N80-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.83nF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@11A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP34N65X2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
类型：1个N沟道
功率：40W
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：93mΩ@17A，10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF43N60DM2
类型：1个N沟道
功率：40W
输入电容：2.5nF@100V
连续漏极电流：34A
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：93mΩ@17A，10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
漏源电压：30V
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT6N120-TRL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.95nF@25V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP34N65X2
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：100mΩ@10V，17A
连续漏极电流：34A
功率：540W
输入电容：3.33nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
