品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R190CE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:47.2nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24.8A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:265mΩ@10V,9A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420APBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R140CP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:64nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:130mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: