包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STFW8N120K5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：5V@100μA

栅极电荷：13.7nC@10V

输入电容：505pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：1个N沟道

导通电阻：2Ω@2.5A，10V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF12N120K5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：5V@100μA

栅极电荷：44.2nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：690mΩ@6A，10V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STFW8N120K5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：5V@100μA

栅极电荷：13.7nC@10V

输入电容：505pF@100V

连续漏极电流：6A

类型：1个N沟道

导通电阻：2Ω@2.5A，10V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF12N120K5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：5V@100μA

栅极电荷：44.2nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：690mΩ@6A，10V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTA3N120-TRL

工作温度：-55℃~+150℃

功率：200W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5Ω

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

输入电容：2.788nF@1000V

导通电阻：34mΩ@50A，20V

类型：1个N沟道

连续漏极电流：90A

阈值电压：2.4V@10mA

功率：463W

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：161nC@20V

漏源电压：1.2kV

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MS12N120HGC0

工作温度：-55℃~+150℃

功率：290W

阈值电压：5.5V@250μA

栅极电荷：85nC

输入电容：3.15nF

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

反向传输电容：25pF

导通电阻：1.1Ω@10V，1A

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MS12N120HGC0

工作温度：-55℃~+150℃

功率：290W

阈值电压：5.5V@250μA

栅极电荷：85nC

输入电容：3.15nF

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

反向传输电容：25pF

导通电阻：1.1Ω@10V，1A

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MS12N120HGC0

工作温度：-55℃~+150℃

功率：290W

阈值电压：5.5V@250μA

栅极电荷：85nC

输入电容：3.15nF

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

反向传输电容：25pF

导通电阻：1.1Ω@10V，1A

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1