品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.562nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.562nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G15N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:763pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:37pF@30V
导通电阻:31mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH536DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.57W€26.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.15nF@15V
连续漏极电流:24.7A€67.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR36368
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W€4.1W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.305nF@15V
连续漏极电流:23A€32A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL4310TRPBF
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:330pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
功率:1W
ECCN:EAR99
导通电阻:200mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: