品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:2个P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LBSS84LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:38pF@15V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.7pF@15V
导通电阻:1.8Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS8402DW1T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1.5V
输入电容:42pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:3pF@25V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LBSS84LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:38pF@15V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.7pF@15V
导通电阻:1.8Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
导通电阻:2Ω@5V,1mA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:45pF@25V
漏源电压:50V
类型:1个P沟道
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LBSS84LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:38pF@15V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.7pF@15V
导通电阻:1.8Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LBSS84LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:38pF@15V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.7pF@15V
导通电阻:1.8Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS8402DW1T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1.5V
输入电容:42pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:3pF@25V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84Q-13-F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:590pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-LBSS84LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:38pF@15V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.7pF@15V
导通电阻:1.8Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS8402DW1T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1.5V
输入电容:42pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:3pF@25V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: