包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

连续漏极电流：159A

漏源电压：75V

包装方式：Reel

功率：156W

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：63.4nC

导通电阻：3.6mΩ

阈值电压：2.3V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB3502

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€41W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：11nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：615pF@40V

连续漏极电流：6A€14A

类型：1个N沟道

反向传输电容：35pF@40V

导通电阻：37mΩ@10V，6A

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.77nF@40V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@10A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：2.3V

栅极电荷：63.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：159A

类型：MOSFET

导通电阻：3.6mΩ

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.77nF@40V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

导通电阻：7mΩ@10A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1