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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60U(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：5V@1mA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020PNJFRATL
功率：304W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2.04nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNZC17
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1749
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020PNJFRATL
功率：304W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2.04nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1749
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020PNJFRATL
功率：304W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2.04nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020PNJFRATL
功率：304W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：2.04nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD20N60
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：3.12nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：390mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020JNJGTL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：252W
阈值电压：7V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：234mΩ@10A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
