品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@300V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP20N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.08nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:4.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.935nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W,S5VX
功率:45W
阈值电压:3.7V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.68nF@300V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
连续漏极电流:20A
输入电容:1.55nF@25V
类型:1个N沟道
栅极电荷:40nC@10V
功率:68W
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
阈值电压:5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP20N60
连续漏极电流:20A
输入电容:3.08nF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
阈值电压:4.6V@250μA
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1.935nF@100V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF190A60CL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
阈值电压:4.6V@250μA
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1.935nF@100V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存: