采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
