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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    栅极电荷: 195nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA2 起订368个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA2 起订368个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:6.5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9940pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN80N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA1 起订368个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N06S402AKSA1 起订368个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":8000,"16+":14700}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI120N06S402AKSA2 起订186个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI120N06S402AKSA2 起订186个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1400,"20+":9350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI120N06S402AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1116,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH240N15X4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:940W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@120A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订60个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订60个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH240N15X4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:940W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@120A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7536GPBF 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7536GPBF 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1330}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI7536GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@48V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1816,"22+":974}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH240N15X4 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH240N15X4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:940W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@120A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N06S402ATMA2 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1816,"22+":974}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15750pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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