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    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D74Z 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D74Z 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170-D74Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订1个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2LN60K3-AP 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:235pF@50V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D75Z 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D75Z 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170-D75Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQN1N60CTA 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQN1N60CTA 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQN1N60CTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@150mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS270-D74Z 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS270-D74Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110ASTZ 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424ASTZ 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4424ASTZ 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4424ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.8V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ2HNK60ZR-AP 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STQ2HNK60ZR-AP 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110ASTZ 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110ASTZ 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H300G4LSG-TR 起订100个装

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H300G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.6V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@8V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:760pF@400V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:312mΩ@5A,8V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0620N3-G-P002 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0620N3-G-P002

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110ASTZ 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110ASTZ 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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