品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1420EEH-T1-GE3
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:215pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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