品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4036LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:43W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA70R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4036LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":824,"22+":84000,"23+":67500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R600P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6.9W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7403TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2019
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:288pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4404B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32320C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN70R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:24.9W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4822-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:697pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7403TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4404B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R600P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6.9W
阈值电压:3.5V@90µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS70R600P7SAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:43W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:43W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@400V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.8A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: