品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
输入电容:2.59nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA413CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:16nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,11A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB409L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W€83.3W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.953nF@30V
连续漏极电流:5A€31.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:38mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:6.46A
类型:1个P沟道
导通电阻:155mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D110-20PX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W€7.5W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:3.4A€6.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:96mΩ@3.4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.75A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D110-20PX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W€7.5W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:5nC@4.5V
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:3.4A€6.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:96mΩ@3.4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€660mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.039nF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.75A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@7.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: