采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT090N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.4nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT090N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.4nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT090N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.4nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DIT090N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.4nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：DIT090N06
类型：1个N沟道
功率：160W
导通电阻：7mΩ@30A，10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.4nF@25V
包装方式：管件
栅极电荷：94nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：DIT090N06
类型：1个N沟道
功率：160W
导通电阻：7mΩ@30A，10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.4nF@25V
包装方式：管件
栅极电荷：94nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
