采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：32000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：18900}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：11.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：6.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：11.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：6.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：11.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT12N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32.5nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.6pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，6A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：11.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF190N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：3V
栅极电荷：34nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：190mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：46A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：18900}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：11.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
