品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
连续漏极电流:8.5A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3145J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:48nC@Vgs=10V
输入电容:1.859nF@Vds=15V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
反向传输电容:212pF@Vds=15V
导通电阻:3.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R380E6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:10.6A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G36N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
反向传输电容:136pF@15V
导通电阻:7mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R380E6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:10.6A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8049,"23+":18596}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:8.5A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R380E6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:10.6A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3145J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:48nC@Vgs=10V
输入电容:1.859nF@Vds=15V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
反向传输电容:212pF@Vds=15V
导通电阻:3.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3145J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:48nC@Vgs=10V
输入电容:1.859nF@Vds=15V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
反向传输电容:212pF@Vds=15V
导通电阻:3.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3145J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:48nC@Vgs=10V
输入电容:1.859nF@Vds=15V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
反向传输电容:212pF@Vds=15V
导通电阻:3.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:8.5A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3145G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:1.859nF@15V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
反向传输电容:212pF@10V
导通电阻:3.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R380E6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:10.6A
类型:MOSFET
导通电阻:380mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: