采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH090P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH090P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH050P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH090P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3200U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
