品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH050P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3125L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:254pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: