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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
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输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
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功率：3.8W€300W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"MI+"：1600}
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ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
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功率：3.8W€300W
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栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24000pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@150A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB0630N1507L
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9895pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPT004N03LATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€300W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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