品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA929DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2812
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€6.5W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4862
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23252}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3050LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4862
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: