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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 30V
    连续漏极电流: 4.5A
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订1391个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订1391个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA928DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA928DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA929DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA929DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA929DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2812 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2812 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2812

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4840NR2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4862

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4840NR2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23252}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4840NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4862 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4862

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA918EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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