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    AOS Mosfet场效应管 AOCA24106E 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOCA24106E 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOCA24106E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LK4-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:9.4A€6.8A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LK4-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:9.4A€6.8A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMST

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS8DN3LLH5 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STS8DN3LLH5 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS8DN3LLH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:724pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMST

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS8DN3LLH5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STS8DN3LLH5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS8DN3LLH5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:724pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3021LK4-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3021LK4-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:9.4A€6.8A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:21mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMST

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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